به گزارش صد آنلاین ، در تازهترین پیشرفت در حوزه فناوری حافظههای نیمههادی، شرکت سامسونگ الکترونیکس اعلام کرده است که به نمونه اولیه فناوری V-NAND با ۹۰۰ لایه دست یافته است. این دستاورد مهم، که با استفاده از تکنولوژی اتصال چندسلولی (CMB) محقق شده، به طور مؤثری دو پشته سلولی ۴۵۰ لایهای را در یک واحد ادغام میکند و سامسونگ را در آستانه دستیابی به ناند ۱۰۰۰ لایهای قرار میدهد.

جزئیات فنی و غلبه بر چالشها
سامسونگ که همواره یکی از پیشگامان صنعت نیمهرساناهای حافظه بوده، در این مسیر با موانع متعددی روبهرو شد. یکی از چالشهای اصلی، مسئله تاب برداشتن ویفرها بود که با معرفی طراحی نوآورانه «Upper Chuck» برطرف گردید. همچنین، از فناوریهای پیشرفته تصحیح همپوشانی برای رفع خطاهای ناهماهنگی استفاده شده است تا یکپارچگی ۹۰۰ لایه سلولی حفظ شود.
این موفقیت به سامسونگ امکان میدهد تا ظرفیت ذخیرهسازی در دستگاههای مختلف از جمله SSDها برای سرورها، دسکتاپها، لپتاپها و گوشیهای هوشمند را به طور چشمگیری افزایش دهد.
رقابت فشرده در دنیای NAND
پیشرفت سامسونگ در حالی صورت میگیرد که رقابت در این حوزه بسیار فشرده است. شرکت اسکی هاینیکس (SK Hynix) پیشتر با توسعه و عرضه ناند ۳۲۱ لایهای، گوی سبقت را از رقبا ربوده بود و اکنون در حال کار بر روی ناند ۴۰۰ لایهای است. این شرکت از اتصال هیبریدی برای دستیابی به این هدف استفاده خواهد کرد، در حالی که سامسونگ رویکرد اتصال عمودی را دنبال میکند.
از سوی دیگر، شرکت چینی YMTC نیز با سرعت در حال کاهش فاصله با غولهای این صنعت است. این شرکت که در حال حاضر قطعات ناند ۲۹۴ و ۲۳۲ لایهای را عرضه میکند، با سرمایهگذاری کلان در کارخانههای جدید، قصد دارد ظرفیت تولید خود را دو برابر کند تا پاسخگوی تقاضای رو به رشد بازار، بهویژه در دوران شکوفایی هوش مصنوعی باشد.
چشمانداز آینده
اگرچه رویکرد ناند پشتهای برای دستیابی به بیش از ۹۰۰ لایه هنوز در مرحله نمونه اولیه قرار دارد، اما مسیر را برای افزایش چشمگیر ظرفیتهای ذخیرهسازی در آینده هموار میسازد. سامسونگ هدفگذاری کرده است تا ناند ۱۰۰۰ لایهای را تا سال ۲۰۳۰ به بازار عرضه کند و انتظار میرود مدلهای با بیش از ۴۰۰ لایه نیز در سالهای آینده شاهد عرضه باشند. این پیشرفتها نویدبخش نسل جدیدی از دستگاههای ذخیرهسازی با سرعت، ظرفیت و کارایی بالاتر است.